在矽上成長的鍺光偵測器中，暗電流容易變大的主要原因為何？

正確答案：C. 因為Si與Ge的晶格常數相差約4%，成長的膜容易產生差排等晶體缺陷

暗電流是沒有光照射時也會流過的電流，會增加光偵測器的雜訊、降低靈敏度。Si與Ge的晶格常數相差約4%，因此在Si上成長Ge時，在釋放應變的過程中會產生差排（穿透差排）等缺陷，容易經由缺陷能階產生載子。此外，Ge的能隙（約0.66 eV）比Si小，熱產生的載子也較多。可藉由成長後的熱處理減少差排，或縮小受光部面積來抑制暗電流。Ge是間接躍遷型，幾乎沒有發光的影響。