矽光子

以氧化層(SiO2,折射率約1.45)包圍矽波導(折射率約3.5)的結構,其特徵下列何者正確?

  1. A因折射率差大,光容易向外洩漏,只能以比光纖更大的半徑彎曲波導,不適合整合
  2. B因折射率差大而能緊密侷限光,可用數 µm的小半徑彎曲,能高密度排列元件
  3. C折射率差越大越不易受側壁粗糙的影響,傳播損耗可小到與光纖相當
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正確答案:B. 因折射率差大而能緊密侷限光,可用數 µm的小半徑彎曲,能高密度排列元件

光在高折射率的核心(core)與低折射率的周圍(包層,cladding)之界面發生全反射而被侷限,折射率差越大侷限越強。矽與氧化層的差約為2,比光纖核心與包層的差(不到1%)大上好幾個數量級,因此能製作截面約0.5 µm × 0.22 µm的細波導,彎曲半徑也可縮小至數 µm。另一方面,折射率差越大,光越容易因側壁粗糙而散射,傳播損耗雖視條件而定,但典型的條形波導約為1~3 dB/cm左右(脊形波導或低損耗製程則更低),遠大於光纖(約0.2 dB/km)。

矽波導的截面(條狀與肋狀) SiO₂(折射率 約1.45) Si(折射率 約3.5) 光場分布 SiO₂包覆層 埋入氧化層(BOX) Si基板 寬 約500 nm 厚 220 nm SiO₂包覆層 埋入氧化層(BOX) Si基板 寬 約500 nm 平板層 條狀波導 肋狀波導 光侷限強,可急彎 經平板層連接電極
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