MOSFET

室温におけるMOSFETのサブスレッショルド係数(しきい値以下でドレイン電流を1桁変えるのに必要なゲート電圧)の理論的な下限値に最も近いものはどれか。

  1. A約600 mV/dec
  2. B約6 mV/dec
  3. C約60 mV/dec
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正解：C. 約60 mV/dec

しきい値電圧より低いゲート電圧でも、ドレイン電流はゲート電圧に対して指数関数的に流れます。室温では、熱エネルギーで決まる理論的な下限が約60 mV/decです。この値より急峻にできないため、しきい値電圧を下げるとオフ時のリーク電流が増えてしまい、電源電圧を下げる際の壁になっています。

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