半導体物性
室温(300 K)における熱電圧 kT/q の値に最も近いものはどれか。
- A約26 mV
- B約0.26 mV
- C約2.6 V
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正解：A. 約26 mV
ボルツマン定数k ≈ 1.38×10⁻²³ J/K、T = 300 K、電気素量q ≈ 1.6×10⁻¹⁹ Cから、kT/q ≈ 0.0259 V、つまり約26 mVです。ダイオードの電流式やMOSFETのサブスレッショルド特性など、多くの式に現れる重要な値です。
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