サブスレッショルドスイング란?
さぶすれっしょるどすいんぐ
しきい値電圧以下で、ドレイン電流を10倍変えるのに必要なゲート電圧。室温での理論的な下限は約60 mV/桁で、小さいほどオンとオフの切り替えが鋭い。
일본어 명칭: サブスレッショルドスイング
분야: MOSFET
관련 용어
貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス 速度飽和 CMOS DIBL GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) LDD構造
さぶすれっしょるどすいんぐ
しきい値電圧以下で、ドレイン電流を10倍変えるのに必要なゲート電圧。室温での理論的な下限は約60 mV/桁で、小さいほどオンとオフの切り替えが鋭い。
일본어 명칭: サブスレッショルドスイング
분야: MOSFET
貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス 速度飽和 CMOS DIBL GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) LDD構造