先端トランジスタ(FinFET・GAA)

サブスレッショルド係数の60 mV/decの壁を超えることをめざして研究されている素子はどれか。

  1. Aダイオード
  2. Bサイリスタ
  3. CトンネルFETや負性容量FET
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正解：C. トンネルFETや負性容量FET

通常のMOSFETは、キャリアが熱的に障壁を越える仕組みで動くため、室温では60 mV/decより急峻なスイッチングができません。トンネルFETはバンド間トンネルで、負性容量FETは強誘電体による電圧の増幅で、この限界を超え、低い電圧で動作する素子をめざしています。

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