什麼是GIDL(閘極引發汲極漏電)

因閘極與汲極重疊部分的強電場而流過帶間穿隧電流，使關閉時漏電流增加的現象。在 DRAM 的資料保持等方面成為問題。

日文名稱: GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)

「GIDL(閘極引發汲極漏電)」出現在2領域的3道練習題中（MOSFET, DRAM等）。

這個名詞所屬的領域: MOSFET

練習GIDL(閘極引發汲極漏電)的題目

在閘極與汲極重疊的部分，因強電場而流過能帶間穿隧電流，使關閉時的漏電流增加，這個現象是下列何者？

  1. ADIBL
  2. BNBTI
  3. CGIDL（閘極誘發汲極漏電）
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正確答案：C. GIDL（閘極誘發汲極漏電）

即使電晶體關閉，只要閘極與汲極之間施加較大電壓，汲極的閘極端附近能帶就會強烈彎曲，因能帶間穿隧效應而有電流流過。這就是GIDL，其特徵是閘極電壓越負越增加。在DRAM的單元電晶體等必須將漏電壓到極小的元件中會成為問題，需藉由汲極端的濃度與電場設計來抑制。DIBL是汲極電壓造成的臨界值下降，NBTI則是pMOS的劣化。

關於MOSFET在關閉狀態下流過的漏電流的主要成分組合，下列何者正確？

  1. A次臨界漏電、閘極漏電、接面漏電
  2. B只有光電流
  3. C完全沒有漏電流流過
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正確答案：A. 次臨界漏電、閘極漏電、接面漏電

處於關閉狀態的MOSFET中，仍會有在臨界值以下流動的次臨界漏電、穿過閘極絕緣膜的閘極漏電、流過源極與汲極接面的接面漏電（包含GIDL）。即使每個電晶體在nA以下，聚集數十億個後，待機時也會達到數W的規模。對策上會組合High-k膜、多Vth、關閉不使用區塊電源的電源閘控、基板偏壓的控制等。

解析中的「GIDL(閘極引發汲極漏電)」

出現「GIDL(閘極引發汲極漏電)」的題目（3題）

  1. 在閘極與汲極重疊的部分，因強電場而流過能帶間穿隧電流，使關閉時的漏電流增加，這個現象是下列何者？
  2. 關於MOSFET在關閉狀態下流過的漏電流的主要成分組合，下列何者正確？
  3. 決定DRAM單元資料保持時間的主要漏電路徑，下列何者正確？

相關名詞

DIBL(汲極引發位障降低) NBTI(負偏壓溫度不穩定性) 數值孔徑(NA) 電源閘控（Power gating） 保持時間 更新(Refresh) 反轉層 平帶電壓 次臨界擺幅 基板偏壓效應

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