DRAM

DRAMのセルのデータ保持時間を決める主なリークの経路として正しいものはどれか。

  1. Aセルトランジスタのサブスレッショルドリークや接合リーク
  2. B光による電荷の発生
  3. C磁界による電荷の移動
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正解：A. セルトランジスタのサブスレッショルドリークや接合リーク

DRAMのキャパシタの電荷は、主にセルトランジスタがオフのときに流れるサブスレッショルドリークや、ストレージノードの接合を流れるリーク(GIDLを含む)で失われます。これらを小さくすることで、データ保持時間を延ばし、リフレッシュの頻度と消費電力を下げられます。

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