ワード線とは

わーどせん

メモリセルのトランジスタのゲートにつながり、読み書きする行を選ぶ配線。

この用語の分野: DRAM

解説の中の「ワード線」

「ワード線」が出てくる問題(12問)

  1. 最近のDRAMのセルトランジスタで、ゲート電極をシリコン基板の溝の中に埋め込む構造(埋め込みワード線)を使う主な目的はどれか。
  2. DRAMのワード線を駆動する電圧に、電源電圧より高い昇圧電圧(VPP)が使われる主な理由はどれか。
  3. 3D NANDで、積み重ねた各層のワード線に配線をつなぐために、端部を階段状に加工した構造を何と呼ぶか。
  4. 3ビットの入力に応じて、8本の出力のうち1本だけを有効にする回路はどれか。
  5. DRAMのセルアレイで、セルトランジスタのゲートにつながり、読み書きする行を選択する配線はどれか。
  6. DRAMで、ある行を短時間に何度も活性化すると、隣接する行のデータが反転してしまうことがある現象を何と呼ぶか。
  7. DRAMのセル面積を表すときに使われる「6F²」のFの意味として正しいものはどれか。
  8. DRAMのセルアレイのビット線の構成で、対になるビット線を同じセルアレイ内に並べて配置する方式はどれか。
  9. SRAMの読み出しで、ビット線をあらかじめ電源電圧などに充電しておく動作を何と呼ぶか。
  10. NAND型フラッシュメモリで、データの読み出しと書き込み(プログラム)を行う基本的な単位はどれか。
  11. タングステンのCVDで原料として使われるガスはどれか。
  12. シリコン窒化膜のウェットエッチングに一般的に使われる薬液はどれか。

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