GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)란?
じーあいでぃーえる
ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象。DRAMのデータ保持などで問題になる。
일본어 명칭: GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)
분야: MOSFET
じーあいでぃーえる
ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象。DRAMのデータ保持などで問題になる。
일본어 명칭: GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)
분야: MOSFET
貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス 速度飽和 CMOS DIBL LDD構造 サブスレッショルドスイング