Geeft de richting van kristalvlakken en -richtingen aan. Wordt met Millerindices uitgedrukt, zoals (100); voor siliciumwafers voor MOSFET's is het (100)-vlak gebruikelijk.
Japanse benaming: 結晶方位
“Kristaloriëntatie” komt voor in 7 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers, Oxidatie en diffusie, Epitaxiale groei.
Vakgebied: Siliciumwafers
Antwoord: B. (100)
Voor CMOS-LSI's worden in het algemeen wafers met een (100)-vlak gebruikt. Het (100)-vlak heeft per oppervlakteatoom minder open bindingen en de dichtheid van grensvlaktoestanden aan het grensvlak met SiO2 is met ongeveer 1/10 van die van het (111)-vlak laag, zodat de drempelspanning stabiel is en de MOS-transistors goede eigenschappen hebben. Ook de elektronenmobiliteit is bij het (100)-vlak hoog. Het (111)-vlak oxideert sneller en werd vroeger onder meer voor bipolaire componenten gebruikt.
De notch is een V-vormige uitsparing van ongeveer 1 mm diep aan de rand van de wafer en dient als merkteken voor de kristaloriëntatie (bijvoorbeeld de <110>-richting).
Wat is de belangrijkste functie van de notch (kleine uitspa…Bij een (100)-wafer ontstaan gemakkelijk rechte breuklijnen die elkaar haaks snijden langs de {110}-vlakken loodrecht op het oppervlak, en uit de richting van de breuk kan de kristaloriëntatie van de wafer worden afgeleid.
Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn sili…Bij een grote spreiding in kristaloriëntatie (mozaïciteit) of veel dislocaties wordt de piek breder, dus een smallere halfwaardebreedte (FWHM) wijst op een betere kristalkwaliteit.
Wat betekent een smalle halfwaardebreedte van de piek in de…Het verschil in snelheid door kristaloriëntatie is klein en ook de hoeken van STI-gleuven worden afgerond en gelijkmatig geoxideerd, dus het wordt gebruikt voor lineroxiden, gate-oxiden en heroxidatie van nitridefilms.
Welke methode laat waterstof en zuurstof dicht bij het wafe…Vergeleken met gewone thermische oxidatie zijn het verschil in oxidatiesnelheid door kristaloriëntatie en de vertraging van de oxidatie bij hoeken klein, en ook nitridefilms kunnen worden geoxideerd, zodat het wordt gebruikt voor oxidatie van driedimensionale structuren zoals de fins van FinFET's en 3D NAND, en voor processen met een strikt thermisch budget.
Welke eigenschap van radicaaloxidatie met zuurstofradicalen…Grensvlaktoestanden (interface traps) Drempelspanning (threshold voltage) Mobiliteit XRD (röntgendiffractie) GaN (galliumnitride) STI (shallow trench isolation) Plasma Thermische oxidatie FinFET 3D NAND