Methode om een eenkristal te maken door een deel van een staaf polysilicium te verhitten en te smelten en de gesmolten zone te verplaatsen. Er is geen smeltkroes, dus weinig zuurstof; geschikt voor wafers met hoge weerstand.
Japanse benaming: FZ法(フローティングゾーン法)
“Floating-zonemethode (FZ-methode)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers.
Vakgebied: Siliciumwafers
Antwoord: B. Omdat geen kwartsen kroes wordt gebruikt, bevat het weinig onzuiverheden zoals zuurstof en zijn kristallen met hoge soortelijke weerstand eenvoudig te verkrijgen
Bij de FZ-methode wordt een deel van een staaf polykristallijn silicium met hoogfrequente inductieverwarming als smalle zone gesmolten en wordt die smeltzone verplaatst, zodat het monokristallijn wordt. Omdat geen kroes wordt gebruikt, komt weinig zuurstof binnen, en onzuiverheden verzamelen zich in de smeltzone en worden verwijderd, zodat zeer zuivere kristallen met een soortelijke weerstand van 1000 Ω·cm of hoger kunnen worden verkregen. Ze worden gebruikt voor vermogenscomponenten met hoge spanningsvastheid (zoals IGBT's) en detectoren; grote diameters zijn met de CZ-methode eenvoudiger, en voor FZ ligt de grens rond 200 mm.
Bij de FZ-methode wordt een deel van een staaf polykristallijn silicium met hoogfrequente inductieverwarming als smalle zone gesmolten en wordt die smeltzone verplaatst, zodat het monokristallijn wordt.
Welke eigenschap van met de FZ-methode (floating-zone-metho…IGBT Czochralski-methode (CZ-methode) DZ (denuded zone) Gettering Ingot Kristaloriëntatie MCZ-methode (magnetic Czochralski) Monitorwafer Necking Segregatiecoëfficiënt