Laag aan het waferoppervlak met weinig defecten zoals zuurstofprecipitaten, ontstaan doordat zuurstof bij een warmtebehandeling uit het oppervlak naar buiten diffundeert. De componenten worden in deze laag gemaakt en de precipitaten in het binnenste worden voor gettering gebruikt.
Japanse benaming: DZ(無欠陥層)
“DZ (denuded zone)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers.
Vakgebied: Siliciumwafers
Antwoord: B. DZ (denuded zone, defectvrije zone)
Bij warmtebehandeling bij hoge temperatuur van 1100 °C of hoger diffundeert zuurstof nabij het oppervlak naar buiten, waardoor aan het oppervlak een defectvrije zone (DZ: denuded zone) zonder zuurstofprecipitaten van enkele tientallen µm ontstaat. Worden daarna met warmtebehandelingen bij lage en middelhoge temperatuur precipitaten in het binnenste gevormd, dan vormt dit de getterlaag. De componenten worden dus op het defectvrije oppervlak gemaakt en de metaalverontreiniging wordt in het binnenste ingevangen. Tegenwoordig worden ook wafers gebruikt waarbij deze structuur wordt gemaakt met gloeien in waterstof of argon en snelle thermische processen.
Bij warmtebehandeling bij hoge temperatuur van 1100 °C of hoger diffundeert zuurstof nabij het oppervlak naar buiten, waardoor aan het oppervlak een defectvrije zone (DZ: denuded zone) zonder zuurstofprecipitaten van enkele tientallen µm ontstaat.
Een wafer wordt thermisch behandeld, zodat zuurstof nabij h…Zuurstofprecipitaten (BMD) Gloeien (annealing) Czochralski-methode (CZ-methode) Floating-zonemethode (FZ-methode) Gettering Ingot Kristaloriëntatie MCZ-methode (magnetic Czochralski) Monitorwafer Necking