Wat is Niet-vluchtig geheugen?

Geheugen dat opgeslagen data behoudt ook wanneer de voeding wordt uitgeschakeld, zoals flashgeheugen en MRAM. DRAM en SRAM zijn vluchtig.

Japanse benaming: 不揮発性メモリ

“Niet-vluchtig geheugen” komt voor in 9 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. SRAM en flashgeheugen, Opkomende geheugentechnologieën, Halfgeleiders voor auto's en functionele veiligheid.

Vakgebied: SRAM en flashgeheugen

Nu oefenen: vragen over Niet-vluchtig geheugen

Welk niet-vluchtig geheugen wordt al geruime tijd samen met de logica op dezelfde chip van een microcontroller geïntegreerd om het programma op te slaan?

  1. AIngebed flashgeheugen
  2. BHBM
  3. CGDDR
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ingebed flashgeheugen

In microcontrollers is ingebed flash, dat programma’s en gegevens opslaat, al lang samen met de logica op dezelfde chip geïntegreerd. De inhoud blijft ook na uitschakelen van de voeding behouden en firmware kan na levering worden bijgewerkt. Door het grote aantal processtappen, zoals het vormen van de floating gate, is integratie lastig bij generaties voorbij ca. 28 nm en met High-k/metal gate, en wordt het vervangen door MRAM en ReRAM, die met minder stappen te maken zijn.

Welke reden waarom MRAM aandacht krijgt als embedded niet-vluchtig geheugen voor onder meer microcontrollers is juist?

  1. ABij geavanceerde logicaprocessen wordt de fabricage van embedded flash moeilijk en komt MRAM, dat in het back-end-of-line-proces kan worden gemaakt, als alternatief in aanmerking
  2. BMRAM heeft een grotere capaciteit en is goedkoper dan DRAM
  3. CDe gegevens gaan verloren wanneer de voeding wordt uitgeschakeld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Bij geavanceerde logicaprocessen wordt de fabricage van embedded flash moeilijk en komt MRAM, dat in het back-end-of-line-proces kan worden gemaakt, als alternatief in aanmerking

Embedded flash vereist door de vorming van floating gates meer dan 10 extra maskers, en voor generaties voorbij circa 28 nm of in combinatie met high-k/metal gate is dit moeilijk te realiseren. MRAM kan met de MTJ halverwege het back-end-of-line-proces worden gemaakt en vergt slechts enkele extra maskers, waardoor foundry's zoals TSMC en Samsung embedded MRAM aanbieden op 22 nm en kleiner. De toepassing groeit onder meer in automotive-microcontrollers.

“Niet-vluchtig geheugen” in de toelichting

Vragen met “Niet-vluchtig geheugen” (9)

  1. Welk niet-vluchtig geheugen wordt al geruime tijd samen met de logica op dezelfde chip van een microcontroller geïntegreerd om het programma op te slaan?
  2. Welke reden waarom MRAM aandacht krijgt als embedded niet-vluchtig geheugen voor onder meer microcontrollers is juist?
  3. Welk mechanisme voor energiebesparing van het systeem wordt verwacht van niet-vluchtig geheugen in caches en registers?
  4. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?
  5. Wat is het belangrijkste doel om bij IC's voor auto's tijdens de wafertest het lotnummer, het wafernummer, de coördinaten op de wafer enzovoort vast te leggen in elektrisch beschrijfbaar niet-vluchtig geheugen in de chip (zoals zekeringen)?
  6. Welke uitspraak over de eigenschappen van flashgeheugen is juist?
  7. Welk geheugen wordt hoofdzakelijk gebruikt in USB-sticks en SD-kaarten?
  8. Welke uitspraak over het verschil tussen EEPROM en flashgeheugen is juist?
  9. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?

Vergelijkingen met deze term

Verwante termen

Numerieke apertuur (NA) MRAM Floating gate High-k/metal gate Via Microcontroller (MCU) ReRAM (resistief geheugen) Magnetische tunnelovergang (MTJ) Foundry Normally-off

Naar de woordenlijst