Welk materiaal wordt veel gebruikt als tunnelbarrièrelaag in de magnetische tunneljunctie (MTJ) van MRAM en levert een grote tunnelmagnetoweerstandsverhouding?

Antwoord: A. Magnesiumoxide (MgO)

Bij een kristallijne MgO-tunnelbarrière tunnelen selectief alleen elektronen met een bepaalde spinsymmetrie, wat bij kamertemperatuur een grote TMR-verhouding van enkele honderden procenten oplevert (bij het vroegere amorfe Al2O3 enkele tientallen procenten). Deze techniek, in 2004 afzonderlijk gepubliceerd door het Japanse AIST en IBM, vergrootte het weerstandsverschil tussen 0 en 1, maakte hogere capaciteiten van HDD-leeskoppen mogelijk en leidde ook tot de praktische toepassing van MRAM.