Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke eigenschap gebruikt FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) om informatie op te slaan?

  1. AVorming en verdwijning van een geleidend filament in een oxide
  2. BHet magnetoweerstandseffect
  3. CDe richting van de spontane polarisatie (remanente polarisatie) van een ferro-elektricum
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De richting van de spontane polarisatie (remanente polarisatie) van een ferro-elektricum

FeRAM gebruikt de eigenschap van ferro-elektrica dat de polarisatie ook na het wegnemen van de spanning blijft bestaan (remanente polarisatie) en slaat 0 en 1 op via de polarisatierichting. Schrijven komt neer op het omkeren van de polarisatie, waardoor geen hoge spanning zoals bij flash nodig is. Kenmerken zijn een hoge snelheid (enkele tientallen ns), een laag vermogensverbruik en een hoge endurance van 10¹² cycli of meer. Van oudsher wordt PZT (loodzirkonaattitanaat) gebruikt. Filamenten worden gebruikt in ReRAM en magnetoweerstand in MRAM.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistief geheugen) is juist?
  2. Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juist?
  3. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?
  4. Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opzichte van flashgeheugen is juist?
  5. Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp