Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juist?

  1. AEr wordt alleen geschreven met het magnetische veld van een externe spoel
  2. BEr wordt geschreven door bestraling met ultraviolet licht
  3. CDe magnetisatie wordt omgekeerd door spin-transfer torque van een spingepolariseerde stroom
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De magnetisatie wordt omgekeerd door spin-transfer torque van een spingepolariseerde stroom

Bij STT-MRAM wordt een stroom door de MTJ gestuurd. Elektronen waarvan de spin in de referentielaag is uitgelijnd dragen impulsmoment over aan de opslaglaag (spin-transfer torque), waardoor de magnetisatie omklapt. De stroomrichting bepaalt of 0 of 1 wordt geschreven. Bij vroege MRAM met een extern magnetisch veld was bij kleinere elementen een grotere stroom nodig, maar bij STT schaalt de schrijfstroom mee met het oppervlak van het element. STT leent zich daardoor goed voor verkleining en is nu de hoofdstroom.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?
  2. Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opzichte van flashgeheugen is juist?
  3. Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?
  4. Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM) in de amorfe toestand met hoge weerstand te brengen (reset) is juist?
  5. Wat is de belangrijkste verwachte toepassing van in-memory computing met bijvoorbeeld resistief geheugen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp