Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

In welke stap van het logica-LSI-proces wordt het geheugenelement (MTJ) van MRAM gewoonlijk gemaakt?

  1. AIn het back-end-of-line-proces (BEOL), tussen de bedradingslagen
  2. BBij de fabricage van de siliciumwafer
  3. CNa het assembleren in de behuizing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. In het back-end-of-line-proces (BEOL), tussen de bedradingslagen

De MTJ wordt gevormd in het back-end-of-line-proces (BEOL) na het gereedkomen van de transistoren, tussen de bedradingslagen. Het voordeel is dat embedden mogelijk is zonder het transistorproces te wijzigen en dat dezelfde MTJ-technologie gemakkelijk over generaties heen kan worden hergebruikt. Wel is een MTJ-materiaal nodig dat de warmtebehandeling in het BEOL-proces (circa 400 °C) doorstaat, en bij het bewerken van magnetische films worden speciale technieken zoals ionenbundelets gebruikt om herafzetting van metaal te voorkomen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Hoe heet bij het verkleinen van faseveranderingsgeheugen het probleem dat de warmte bij het schrijven naar een naburige cel overgaat en de toestand daarvan verandert?
  2. Welke uitspraak over het ontwerpprobleem dat voortvloeit uit het stochastische karakter van het schrijven in STT-MRAM is juist?
  3. Welke uitspraak over het probleem dat voortvloeit uit de grote spreiding van de weerstandswaarden van ReRAM-cellen is juist?
  4. Welk geheugen heeft in het algemeen het kleinste aantal herschrijfcycli?
  5. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?

Vergelijkingen bij dit onderwerp