Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het uitlezen van gegevens uit MRAM is juist?

  1. AEr wordt een kleine stroom door de MTJ gestuurd en een hoge of lage weerstand gedetecteerd
  2. BEr wordt een sterk magnetisch veld aangelegd en de reactie waargenomen
  3. CEr wordt licht op de cel gericht en het gereflecteerde licht gemeten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Er wordt een kleine stroom door de MTJ gestuurd en een hoge of lage weerstand gedetecteerd

Bij het uitlezen van MRAM wordt door de MTJ een kleinere stroom gestuurd dan bij het schrijven. Door vergelijking met een referentieweerstand wordt als verschil in stroom of spanning gedetecteerd of de toestand parallel (lage weerstand) of antiparallel (hoge weerstand) is. Ook bij een TMR-verhouding van circa 100 tot 200% is het weerstandsverschil slechts een factor 2 tot 3, zodat de leesmarge kleiner is dan bij DRAM of flash. Omdat de magnetisatie niet wordt omgekeerd, is het uitlezen niet-destructief en is terugschrijven niet nodig.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Wat voor materiaal is GST, een veelgebruikt opslagmateriaal voor faseveranderingsgeheugen?
  2. Welk voorbeeld van een materiaal dat als weerstandsveranderende laag voor ReRAM wordt onderzocht en toegepast, is juist?
  3. Welk mechanisme voor energiebesparing van het systeem wordt verwacht van niet-vluchtig geheugen in caches en registers?
  4. Welke uitspraak over een kenmerkende toepassing waarvoor FeRAM wordt gebruikt, is juist?
  5. In welke stap van het logica-LSI-proces wordt het geheugenelement (MTJ) van MRAM gewoonlijk gemaakt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp