Opkomende geheugentechnologieën

Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?

  1. ASeebeck-effect
  2. BVCMA (voltage-controlled magnetic anisotropy)
  3. CPiëzoresistief effect
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. VCMA (voltage-controlled magnetic anisotropy)

VCMA (Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy) is het effect dat bij het aanleggen van een spanning op het grensvlak tussen een dunne magnetische laag en een isolerende laag (zoals MgO) de elektronische toestand van het grensvlak verandert, waardoor de gemakkelijke richting van de magnetisatie (de magnetische anisotropie) verandert. Omdat het omkeren van de magnetisatie kan worden geholpen met vrijwel geen stroom, verwacht men dat de schrijfenergie 1 tot 2 ordes van grootte lager kan zijn dan bij STT-schrijven met stroom. Een uitdaging is de timingregeling om het omkeren precies te stoppen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?
  2. Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
  3. Welke eigenschap gebruikt FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) om informatie op te slaan?
  4. Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistief geheugen) is juist?
  5. Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp