Bij een MTJ de verhouding tussen het weerstandsverschil bij parallelle en antiparallelle magnetisatie en de weerstand bij parallelle magnetisatie. Hoe groter, hoe gemakkelijker 0 en 1 zijn te onderscheiden. Met een MgO-barrièrelaag zijn grote waarden haalbaar.
Japanse benaming: TMR比
“TMR-verhouding” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: A. De verhouding die ontstaat door het weerstandsverschil tussen parallelle en antiparallelle magnetisatie te delen door de weerstand bij parallelle magnetisatie
De TMR-verhouding is (R_antiparallel − R_parallel)/R_parallel en geeft de grootte van het verschil tussen de weerstanden van de twee toestanden aan. Bij R_parallel = 2 kΩ en R_antiparallel = 5 kΩ is de TMR-verhouding bijvoorbeeld 150%. Hoe groter, hoe gemakkelijker 0 en 1 zijn te onderscheiden en hoe sneller het uitlezen kan. Met een MgO-barrière zijn bij kamertemperatuur waarden van meer dan 600% gerapporteerd, maar in MRAM voor massaproductie ligt de verhouding op circa 100 tot 200%, als afweging tegen kleine afmetingen en hittebestendigheid.
De TMR-verhouding is (R_antiparallel − R_parallel)/R_parallel en geeft de grootte van het verschil tussen de weerstanden van de twee toestanden aan.
Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (…Bij een kristallijne MgO-tunnelbarrière tunnelen selectief alleen elektronen met een bepaalde spinsymmetrie, wat bij kamertemperatuur een grote TMR-verhouding van enkele honderden procenten oplevert (bij het vroegere amorfe Al2O3 enkele tientallen procenten).
Welk materiaal wordt veel gebruikt als tunnelbarrièrelaag i…Ook bij een TMR-verhouding van circa 100 tot 200% is het weerstandsverschil slechts een factor 2 tot 3, zodat de leesmarge kleiner is dan bij DRAM of flash.
Welke uitspraak over het uitlezen van gegevens uit MRAM is …Magnetische tunnelovergang (MTJ) MRAM 3D XPoint Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming In-memory computing PCM (phase-change memory)