Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?

  1. AHet weerstandsverschil door de magnetisatierichting van een magnetische tunneljunctie (MTJ)
  2. BHet weerstandsverschil tussen de kristallijne en de amorfe toestand van een chalcogenidemateriaal
  3. CDe aan- of afwezigheid van lading op een condensator
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het weerstandsverschil door de magnetisatierichting van een magnetische tunneljunctie (MTJ)

MRAM gebruikt een magnetische tunneljunctie (MTJ), waarbij twee magnetische lagen een isolerende laag van circa 1 nm dik insluiten. Door het tunnelmagnetoweerstandseffect is de weerstand laag bij parallelle en hoog bij antiparallelle magnetisatie, waarmee 0 en 1 worden onderscheiden. De magnetisatie blijft zonder voeding behouden, dus het geheugen is niet-vluchtig. Sterke punten zijn de vrijwel onbeperkte schrijfendurance en de hoge snelheid. Het weerstandsverschil tussen kristallijn en amorf wordt gebruikt in faseveranderingsgeheugen, en lading in DRAM.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
  2. Welke eigenschap gebruikt FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) om informatie op te slaan?
  3. Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistief geheugen) is juist?
  4. Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juist?
  5. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp