Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Hoe heet de structuur, waarbij twee magnetische lagen een dunne isolerende laag insluiten, die in MRAM als element voor het opslaan van 1 bit wordt gebruikt?

  1. APN-junctie
  2. BSchottky-junctie
  3. CMagnetische tunneljunctie (MTJ)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Magnetische tunneljunctie (MTJ)

Het geheugenelement van MRAM is een magnetische tunneljunctie (MTJ), waarbij tussen twee magnetische lagen (zoals CoFeB) een isolerende laag van circa 1 nm dik (een tunnelbarrière zoals MgO) zit. Elektronen passeren de isolerende laag door het kwantummechanische tunneleffect, en hoe gemakkelijk dat gaat, hangt af van de onderlinge stand van de magnetisaties aan weerszijden. Een echte MTJ bestaat uit een gestapelde film van een tiental lagen, inclusief diverse lagen om de referentielaag te stabiliseren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (TMR-verhouding) van een MTJ is juist?
  2. Welke uitspraak over de relatie tussen de weerstanden bij parallelle en antiparallelle magnetisatierichting van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  3. Welke uitspraak over de rollen van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  4. Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de kristallijne toestand met lage weerstand brengen van een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM, set) is juist?
  5. Hoe heet in de hysteresiscurve (polarisatie-veldkarakteristiek) van een ferro-elektricum de polarisatie die overblijft wanneer het elektrische veld weer tot nul wordt teruggebracht?

Vergelijkingen bij dit onderwerp