Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opzichte van flashgeheugen is juist?

  1. ADe kosten per bit zijn veel lager
  2. BDe gegevens gaan verloren wanneer de voeding wordt uitgeschakeld
  3. CHet aantal herschrijfcycli is zeer groot en het schrijven is snel
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het aantal herschrijfcycli is zeer groot en het schrijven is snel

MRAM slaat op via de magnetisatierichting en heeft daardoor veel meer herschrijfcycli (10¹⁰ of meer) dan flash, waarbij het oxide degradeert. Het schrijven is met enkele tot enkele tientallen ns snel en een wisprocedure is niet nodig. MRAM wordt daarom steeds vaker gebruikt als embedded geheugen in microcontrollers en voertuigsystemen en voor toepassingen met veelvuldige gegevensregistratie. Doordat de cel groot is en niet kan worden gestapeld, haalt MRAM qua capaciteit en prijs per bit NAND-flash echter bij lange na niet.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?
  2. Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM) in de amorfe toestand met hoge weerstand te brengen (reset) is juist?
  3. Wat is de belangrijkste verwachte toepassing van in-memory computing met bijvoorbeeld resistief geheugen?
  4. Welke uitspraak over het uitlezen van FeRAM van het condensatortype is juist?
  5. Welk materiaal wordt veel gebruikt als tunnelbarrièrelaag in de magnetische tunneljunctie (MTJ) van MRAM en levert een grote tunnelmagnetoweerstandsverhouding?

Vergelijkingen bij dit onderwerp