Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Waar staat de 'M' in MRAM voor?

  1. AMicro (klein)
  2. BMagnetoresistive (magnetoweerstand)
  3. CMulti-level (meerdere niveaus)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Magnetoresistive (magnetoweerstand)

MRAM is de afkorting van Magnetoresistive Random Access Memory en leest informatie uit via het magnetoweerstandseffect, waarbij de weerstand met de magnetisatierichting verandert. In de jaren 1990 werden AMR (anisotrope magnetoweerstand) en GMR (reuzenmagnetoweerstand) gebruikt, maar door de ontwikkeling van TMR (tunnelmagnetoweerstand) met een groot weerstandsverschil werd het praktisch bruikbaar. De ontdekking van GMR was het onderwerp van de Nobelprijs voor de Natuurkunde in 2007 en droeg sterk bij aan de grotere capaciteit van HDD's.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het idee van het 'universele geheugen', waarop veel onderzoek en ontwikkeling van geheugens van de volgende generatie is gericht, is juist?
  2. Waar staat de 'Fe' in FeRAM voor?
  3. Hoe heet de structuur, waarbij twee magnetische lagen een dunne isolerende laag insluiten, die in MRAM als element voor het opslaan van 1 bit wordt gebruikt?
  4. Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (TMR-verhouding) van een MTJ is juist?
  5. Welke uitspraak over de relatie tussen de weerstanden bij parallelle en antiparallelle magnetisatierichting van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp