Niet-vluchtig geheugen dat informatie opslaat via het weerstandsverschil dat ontstaat doordat een spanning een geleidend pad in bijvoorbeeld een oxide vormt of verbreekt.
Japanse benaming: ReRAM(抵抗変化メモリ)
“ReRAM (resistief geheugen)” komt voor in 10 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën, SRAM en flashgeheugen.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: B. Door een spanning op een metaaloxide o.d. te zetten wordt geschakeld tussen een toestand met hoge en een met lage weerstand
ReRAM heeft een eenvoudige structuur waarbij een dunne laag, zoals een metaaloxide, tussen elektroden zit. Bij het aanleggen van een spanning wordt een geleidend filament van samengekomen zuurstofvacatures gevormd of verbroken, waardoor de weerstand met een factor 10 of meer verandert. Het element is klein en kan in het back-end-of-line-proces worden gemaakt, waardoor het geschikt is voor embedded gebruik in logica en voor hoge dichtheid met een crosspoint-structuur. ReRAM is in gebruik als embedded geheugen voor microcontrollers; een uitdaging is de grote spreiding in weerstand.
Antwoord: C. Het uitvoeren van multiply-accumulate-bewerkingen binnen de geheugenarray, waardoor gegevensverplaatsing en vermogensverbruik bij AI-verwerking afnemen
AI-verwerking vereist enorme aantallen multiply-accumulate-bewerkingen, en het grootste deel van het vermogen gaat naar gegevensverplaatsing tussen geheugen en rekeneenheid. Bij in-memory computing worden resistieve elementen in een array geplaatst en de gewichten als geleiding opgeslagen. Wanneer de invoer als spanning wordt aangelegd, worden vermenigvuldiging volgens de wet van Ohm (I = GV) en optelling volgens de eerste wet van Kirchhoff in één keer op de bedrading uitgevoerd. Omdat de bewerking analoog is, vormen de spreiding van de elementen en de nauwkeurigheid van de ADC echter uitdagingen.
ReRAM heeft een eenvoudige structuur waarbij een dunne laag, zoals een metaaloxide, tussen elektroden zit.
Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistie…De meeste ReRAM-elementen hebben direct na fabricage een hoge weerstand en er moet eerst een spanning hoger dan bij normaal bedrijf worden aangelegd om een geleidend pad, zoals van zuurstofvacatures, te vormen.
Hoe heet bij ReRAM de initialisatiestap waarbij eerst een r…Voor ReRAM worden vaak metaaloxiden gebruikt, zoals hafniumoxide, tantaaloxide en titaanoxide.
Welk voorbeeld van een materiaal dat als weerstandsverander…Bij ReRAM worden de dikte en positie van het geleidende filament stochastisch bepaald, zodat de weerstand varieert van cel tot cel (device-to-device) en bij elke schrijfactie van dezelfde cel (cycle-to-cycle).
Welke uitspraak over het probleem dat voortvloeit uit de gr…Bij bipolair ReRAM worden voor set (naar lage weerstand) en reset (naar hoge weerstand) spanningen van tegengestelde polariteit aangelegd, en wordt het filament verbonden of verbroken doordat zuurstofionen e.d.
Welke uitspraak over het verschil tussen het 'bipolaire' en…Numerieke apertuur (NA) MRAM Via FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) In-memory computing Forming CMOS Niet-vluchtig geheugen Microcontroller (MCU) Floating gate