Niet-vluchtig geheugen dat informatie opslaat via het verschil tussen de kristallijne toestand (lage weerstand) en de amorfe toestand (hoge weerstand) van chalcogenidematerialen.
Japanse benaming: PCM(相変化メモリ)
“PCM (phase-change memory)” komt voor in 9 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: B. Het weerstandsverschil tussen de kristallijne en de amorfe toestand van een chalcogenidemateriaal
PCM verhit chalcogenidematerialen zoals GeSbTe met de Joule-warmte van een stroom en koelt ze snel af, waardoor tussen een kristallijne toestand met lage weerstand en een amorfe toestand met hoge weerstand wordt geschakeld. Het weerstandsverschil bedraagt 2 tot 3 ordes van grootte en met tussenwaarden is multilevelopslag mogelijk. Hetzelfde materiaal wordt ook gebruikt in herschrijfbare dvd's en Blu-ray-schijven, omdat de reflectie van licht verschilt tussen de kristallijne en de amorfe fase. Een uitdaging is de grote stroom die voor het schrijven nodig is.
Antwoord: B. Met een grote stroompuls verhitten tot boven het smeltpunt en daarna snel afkoelen
Bij reset wordt het materiaal met een grote stroompuls (enkele tientallen tot enkele honderden ns) verhit tot boven het smeltpunt (circa 600 °C bij GST) en gesmolten, waarna het binnen enkele ns snel wordt afgekoeld. De atomen krijgen zo geen tijd om te ordenen en het materiaal wordt amorf. Bij set wordt het materiaal daarentegen enige tijd boven de kristallisatietemperatuur en onder het smeltpunt gehouden om te kristalliseren. De grote resetstroom is een probleem voor het vermogensverbruik van PCM; men verlaagt hem met structuren die het verhitte volume verkleinen.
PCM verhit chalcogenidematerialen zoals GeSbTe met de Joule-warmte van een stroom en koelt ze snel af, waardoor tussen een kristallijne toestand met lage weerstand en een amorfe toestand met hoge weerstand wordt geschakeld.
Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseverandering…De grote resetstroom is een probleem voor het vermogensverbruik van PCM; men verlaagt hem met structuren die het verhitte volume verkleinen.
Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM)…In de amorfe fase van PCM relaxeert de atoomordening in de loop van de tijd lichtjes, waardoor de weerstand geleidelijk toeneemt, evenredig met de logaritme van de tijd (R ∝ t^ν, met ν van circa 0,1).
Hoe heet bij faseveranderingsgeheugen (PCM) het verschijnse…Deze tijd is bepalend voor de schrijfsnelheid van PCM en is langer dan bij reset.
Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de …Bij PCM kunnen tussenliggende weerstanden tussen hoge en lage weerstand worden gemaakt door de grootte van het amorfe gebied in de cel (de verhouding tot het kristallijne deel) te regelen met de hoogte of lengte van de schrijfpuls.
Welke uitspraak over het opslaan van meerdere bits in één c…MRAM Numerieke apertuur (NA) Drempelspanning (threshold voltage) Crosspoint-geheugen ReRAM (resistief geheugen) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) 3D XPoint Chalcogeniden FeFET (ferro-elektrische transistor) Forming