Was ist MRAM?
Nichtflüchtiger Speicher, der Daten als Widerstandsunterschied speichert, der durch die Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ) entsteht.
Japanische Bezeichnung: MRAM
Fachgebiet: Neuartige Speicher
Nichtflüchtiger Speicher, der Daten als Widerstandsunterschied speichert, der durch die Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ) entsteht.
Japanische Bezeichnung: MRAM
Fachgebiet: Neuartige Speicher
3D XPoint Chalkogenid (chalcogenide) Crosspoint-Speicher (cross-point memory) FeFET (ferroelektrischer Feldeffekttransistor, ferroelectric FET) FeRAM (ferroelektrischer Speicher) Forming (electroforming) In-Memory-Computing Magnetischer Tunnelkontakt (MTJ) PCM (Phasenwechselspeicher) ReRAM (resistiver Speicher)