Was ist MRAM?

Nichtflüchtiger Speicher, der Daten als Widerstandsunterschied speichert, der durch die Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ) entsteht.

Japanische Bezeichnung: MRAM

Fachgebiet: Neuartige Speicher

Vergleiche mit diesem Begriff

Verwandte Begriffe

3D XPoint Chalkogenid (chalcogenide) Crosspoint-Speicher (cross-point memory) FeFET (ferroelektrischer Feldeffekttransistor, ferroelectric FET) FeRAM (ferroelektrischer Speicher) Forming (electroforming) In-Memory-Computing Magnetischer Tunnelkontakt (MTJ) PCM (Phasenwechselspeicher) ReRAM (resistiver Speicher)

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