Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke externe omstandigheid vereist bij het gebruik van MRAM aandacht?

  1. ASterk licht
  2. BEen sterk extern magnetisch veld
  3. CLage luchtvochtigheid
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Een sterk extern magnetisch veld

MRAM slaat op via de magnetisatierichting; bij blootstelling aan een sterk extern magnetisch veld kan de magnetisatie van de opslaglaag worden verstoord en kunnen de gegevens verloren gaan. Als richtwaarde zijn velden van enkele tientallen mT of meer een probleem, bijvoorbeeld door magneten of motoren in de buurt van een smartphone of in de omgeving van medische MRI. Afhankelijk van de toepassing worden behuizingen met magnetische afscherming gebruikt en wordt ontworpen binnen de in het datasheet opgegeven magneetveldbestendigheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Waarom worden MRAM en FeRAM soms gebruikt in omgevingen met veel straling, zoals ruimtevaartapparatuur?
  2. Welke storage-class-memory-technologie, die Intel en Micron vroeger gezamenlijk ontwikkelden en onder de productnaam 'Optane' verkochten, is dit?
  3. Welke uitspraak over het opslaan van meerdere bits in één cel (multilevel) van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
  4. Welk geheugen verandert de weerstand doordat metaalionen zoals zilver of koper zich door een vaste elektrolyt verplaatsen en een geleidend pad vormen of verbreken?
  5. Welke uitspraak over het verschil tussen het 'bipolaire' en het 'unipolaire' type in de werking van ReRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp