Opkomende geheugentechnologieën

Welke reden waarom MRAM aandacht krijgt als embedded niet-vluchtig geheugen voor onder meer microcontrollers is juist?

  1. ABij geavanceerde logicaprocessen wordt de fabricage van embedded flash moeilijk en komt MRAM, dat in het back-end-of-line-proces kan worden gemaakt, als alternatief in aanmerking
  2. BMRAM heeft een grotere capaciteit en is goedkoper dan DRAM
  3. CDe gegevens gaan verloren wanneer de voeding wordt uitgeschakeld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Bij geavanceerde logicaprocessen wordt de fabricage van embedded flash moeilijk en komt MRAM, dat in het back-end-of-line-proces kan worden gemaakt, als alternatief in aanmerking

Embedded flash vereist door de vorming van floating gates meer dan 10 extra maskers, en voor generaties voorbij circa 28 nm of in combinatie met high-k/metal gate is dit moeilijk te realiseren. MRAM kan met de MTJ halverwege het back-end-of-line-proces worden gemaakt en vergt slechts enkele extra maskers, waardoor foundry's zoals TSMC en Samsung embedded MRAM aanbieden op 22 nm en kleiner. De toepassing groeit onder meer in automotive-microcontrollers.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk probleem treedt bij MRAM vaak op wanneer het geheugenelement (MTJ) te klein wordt?
  2. Waarom zijn MTJ's met een loodrecht op het filmvlak gerichte magnetisatie (perpendiculaire MTJ) in recente STT-MRAM de hoofdstroom geworden?
  3. Welk element wordt in serie met het geheugenelement geplaatst om te voorkomen dat stroom naar niet-geselecteerde cellen lekt in crosspoint-geheugen, waarbij resistieve elementen op de kruispunten van horizontale en verticale bedrading zijn geplaatst?
  4. Welke uitspraak over de kenmerken van een FeFET, met een ferro-elektricum als gate-isolator, is juist?
  5. Hoe heet bij faseveranderingsgeheugen (PCM) het verschijnsel dat de weerstand van de amorfe toestand in de loop van de tijd geleidelijk toeneemt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp