Verschijnsel waarbij in het begin van het gloeien na ionenimplantatie de diffusie van onder meer boor tijdelijk versnelt door overtollig interstitieel silicium uit de implantatie. Bemoeilijkt het maken van ondiepe juncties.
Japanse benaming: 過渡増速拡散(TED)
“Transient enhanced diffusion (TED)” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: A. Transient enhanced diffusion (TED)
Overtollige interstitiële siliciumatomen die door ionenimplantatie ontstaan, vormen paren met boor en bevorderen de boordiffusie, zodat de diffusie in de beginfase van de anneal tijdelijk tientallen tot ongeveer duizend keer wordt versneld. Het verdwijnt wanneer het interstitiële silicium bijvoorbeeld aan het oppervlak verdwijnt, daarom heet het „transient” enhanced diffusion (TED); het effect is groter naarmate bij relatief lage temperatuur langer wordt verhit. Omdat het ondiepe juncties hindert, wordt het onderdrukt met spike-anneal, die snel naar hoge temperatuur gaat, en met co-implantatie van koolstof.
Antwoord: C. De boordiffusie onderdrukken en de junctie ondiep houden
De diffusie van boor wordt versneld met hulp van interstitieel silicium (transient enhanced diffusion). Als samen ongeveer 10¹⁵ cm⁻² koolstof wordt geïmplanteerd, vangt koolstof interstitieel silicium op en verbruikt dit, waardoor de boordiffusie wordt onderdrukt en de junctie ook na de anneal ondiep blijft. Co-implantatie van fluor of stikstof wordt voor een soortgelijk doel gebruikt. Omdat ook de diffusie van fosfor met koolstof kan worden onderdrukt, wordt soms ook koolstof toegevoegd aan Si:P-epi voor nMOS.
Het verdwijnt wanneer het interstitiële silicium bijvoorbeeld aan het oppervlak verdwijnt, daarom heet het „transient” enhanced diffusion (TED); het effect is groter naarmate bij relatief lage temperatuur langer wordt verhit.
Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de an…De diffusie van boor wordt versneld met hulp van interstitieel silicium (transient enhanced diffusion).
Wat is het belangrijkste doel van het samen met boor implan…Bij de anneal recombineert het grootste deel en herstelt het, maar het resterende interstitiële silicium is de oorzaak van transient enhanced diffusion en EOR-defecten.
Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel ato…Numerieke apertuur (NA) Ionenimplantatie Spike-anneal Dosis Channeling Faradaycup Gloeien (annealing) Halo-implantatie (pocket-implantatie) Laseranneal Oplosbaarheid (solid solubility)