Lors de la réalisation d'une jonction p peu profonde, quel est le principal objectif de l'implantation simultanée (co-implantation) de carbone, etc. avec le bore ?

Réponse : C. Limiter la diffusion du bore et maintenir la jonction peu profonde

La diffusion du bore est accélérée avec l'aide du silicium interstitiel (diffusion accélérée transitoire). En co-implantant environ 10¹⁵ cm⁻² de carbone, celui-ci capture et consomme le silicium interstitiel, ce qui limite la diffusion du bore et maintient une jonction peu profonde après recuit. La co-implantation de fluor ou d'azote est utilisée dans un but similaire. La diffusion du phosphore étant aussi freinée par le carbone, on ajoute parfois du carbone au Si:P épitaxié des nMOS.