Caisson dont la concentration de dopants est plus élevée en profondeur qu'en surface, obtenu par implantation à haute énergie. Il limite le perçage et le latch-up tout en gardant un canal faiblement dopé en surface.
Nom japonais: レトログレードウェル
« Caisson rétrograde (retrograde well) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Implantation ionique.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : A. Caisson rétrograde
Un caisson rétrograde présente un pic de concentration en profondeur, obtenu par implantation à haute énergie de quelques centaines de keV à l'ordre du MeV. La concentration de surface reste modérée pour s'adapter aux caractéristiques des transistors, tandis que la forte concentration en profondeur limite le perçage (punch-through) et le latch-up (déclenchement du thyristor parasite). Il évite aussi la diffusion thermique de plusieurs heures au-delà de 1000 °C des caissons diffusés classiques, ce qui réduit fortement le budget thermique et la durée du procédé.
Un caisson rétrograde présente un pic de concentration en profondeur, obtenu par implantation à haute énergie de quelques centaines de keV à l'ordre du MeV.
Dans la formation des caissons CMOS, comment appelle-t-on u…CMOS Implantation ionique Perçage (punch-through) Latch-up Diffusion thermique Cage de Faraday Canalisation (channeling) Diffusion accélérée transitoire (TED) Dopage plasma Dose