Implantation oblique, aux extrémités de la source et du drain, d'impuretés de même type que le canal. Elle limite l'extension de la zone de déplétion du drain et donc les effets de canal court.
Nom japonais: ハロー注入(ポケット注入)
« Implantation halo (implantation poche) » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Implantation ionique, MOSFET.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : B. Limiter les effets de canal court
L'implantation halo incline le wafer d'environ 20 à 45° pour introduire localement, près des extrémités de la source et du drain et en se glissant sous la grille, des impuretés de même type que le canal. L'extension de la zone de déplétion issue du drain étant limitée, la baisse de la tension de seuil et le perçage sont contenus même lorsque la longueur de grille diminue. La dégradation de la mobilité est moindre que si l'on dopait tout le canal, et cette technique était standard pour les transistors planaires miniaturisés.
L'implantation halo incline le wafer d'environ 20 à 45° pour introduire localement, près des extrémités de la source et du drain et en se glissant sous la grille, des impuretés de même type que le canal.
Quel est le principal objectif de l'implantation halo (poch…Les remèdes consistent à placer une couche fortement dopée sous la source et le drain (implantation halo/pocket), à rendre les jonctions moins profondes et, comme dans les FinFET et GAA, à entourer le canal par la grille pour supprimer les chemins de courant non commandés.
Quelle description du perçage (punch-through) d’un MOSFET e…Zone de déplétion (zone de charge d'espace) Perçage (punch-through) Tension de seuil Mobilité FinFET GAA (grille enrobante, gate-all-around) Cage de Faraday Caisson rétrograde (retrograde well) Canalisation (channeling) Diffusion accélérée transitoire (TED)