Qu'est-ce que Canalisation (channeling) ?

Phénomène où des ions passent entre les rangées d'atomes du cristal et pénètrent plus profondément que prévu. On l'évite notamment en inclinant la plaquette lors de l'implantation.

Nom japonais: チャネリング

« Canalisation (channeling) » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Implantation ionique, Environnement, santé et sécurité, Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).

Domaine: Implantation ionique

S'entraîner : questions sur Canalisation (channeling)

Quelle méthode est couramment utilisée pour limiter la canalisation (phénomène par lequel les ions pénètrent trop profondément en passant par les interstices du cristal) en implantation ionique ?

  1. AMaximiser l'énergie d'accélération
  2. BNettoyer le wafer après implantation
  3. CIncliner le wafer de quelques degrés par rapport à l'axe cristallin lors de l'implantation
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Réponse : C. Incliner le wafer de quelques degrés par rapport à l'axe cristallin lors de l'implantation

Lorsque les ions entrent dans l'alignement des rangées atomiques du cristal, ils passent par les interstices entre rangées (canaux), subissent peu de collisions et pénètrent plus profondément que prévu (canalisation). On la limite en inclinant le wafer d'environ 7° par rapport à l'axe cristallin et en décalant aussi la rotation, en implantant à travers un oxyde mince en surface (oxyde écran) qui disperse les directions, ou en amorphisant préalablement la surface. La queue profonde du profil diminue et la jonction devient moins profonde.

« Canalisation (channeling) » dans les explications

Questions mentionnant « Canalisation (channeling) » (7)

  1. Quelle méthode est couramment utilisée pour limiter la canalisation (phénomène par lequel les ions pénètrent trop profondément en passant par les interstices du cristal) en implantation ionique ?
  2. Quelle combinaison est correcte pour la distribution approchant le profil en profondeur des impuretés après implantation ionique et la grandeur désignant la profondeur de son pic ?
  3. Quel est l'objectif de l'implantation de pré-amorphisation (PAI) ?
  4. Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, lors d'une implantation avec wafer incliné, certaines zones situées dans l'ombre de motifs hauts comme la résine ne sont pas implantées ?
  5. Comment appelle-t-on l'opération qui répète plusieurs fois la mise sous pression par un gaz inerte puis l'évacuation, avant d'ouvrir une ligne de gaz ou de passer à un autre gaz ?
  6. Lors de travaux avec des solvants organiques, quel est le principal objectif de la mise à la terre des récipients et canalisations ?
  7. Quel est l'avantage de sécurité du mode de stockage et de distribution sous pression subatmosphérique de gaz toxiques comme l'arsine ou la phosphine adsorbés sur un adsorbant ?

Termes associés

Implantation ionique Parcours projeté Dose Pré-amorphisation par implantation (PAI) Recuit Arsine (AsH3) Phosphine (PH3) Cage de Faraday Caisson rétrograde (retrograde well) Diffusion accélérée transitoire (TED)

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