Méthode exposant directement la plaquette à un plasma contenant le dopant pour implanter des ions de basse énergie. Elle permet des doses élevées rapidement et un dopage relativement uniforme de structures 3D comme les ailettes.
Nom japonais: プラズマドーピング
« Dopage plasma » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Implantation ionique.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : B. Les implantations à basse énergie et forte dose sont aisées, et le dopage est relativement uniforme même sur des structures tridimensionnelles
Contrairement aux méthodes à balayage de faisceau, le dopage plasma expose toute la surface du wafer aux ions en une fois, ce qui permet d'implanter en peu de temps des doses élevées de 10¹⁵ à 10¹⁶ cm⁻² même à basse énergie (1 keV ou moins). Comme les ions et radicaux arrivent de diverses directions, il facilite aussi le dopage des flancs de structures tridimensionnelles comme les ailettes des FinFET. En revanche, en l'absence d'analyse de masse, des éléments indésirables sont aussi introduits, et la mesure et le contrôle de la dose sont difficiles.
Contrairement aux méthodes à balayage de faisceau, le dopage plasma expose toute la surface du wafer aux ions en une fois, ce qui permet d'implanter en peu de temps des doses élevées de 10¹⁵ à 10¹⁶ cm⁻² même à basse énergie (1 keV ou moins).
Quel est l'avantage du dopage plasma, qui expose directemen…Plasma FinFET Dose Cage de Faraday Caisson rétrograde (retrograde well) Canalisation (channeling) Diffusion accélérée transitoire (TED) Effet d'ombrage (shadowing) Implantation halo (implantation poche) Implantation ionique