Résistance du chemin de conduction d'un semi-conducteur de puissance à l'état passant. Plus elle est faible, plus les pertes en conduction sont réduites.
Nom japonais: オン抵抗
« Résistance à l'état passant (RDS(on)) » apparaît dans 17 questions d'entraînement réparties sur 8 thèmes, dont Semi-conducteurs de puissance, Lire une fiche technique, Jonction PN et diodes.
Domaine: Semi-conducteurs de puissance
Réponse : C. Augmenter la tenue en tension tend à augmenter la résistance à l'état passant
Pour augmenter la tenue en tension, la couche de dérive qui supporte la tension doit être plus épaisse et moins dopée, ce qui accroît sa résistance. En théorie, la résistance à l'état passant d'un composant unipolaire en Si est proportionnelle à la tenue en tension à la puissance 2,5 environ : doubler la tenue en tension multiplie la résistance par environ 5,7 (limite du silicium). Pour dépasser ce compromis, on utilise la structure à superjonction ou le SiC et le GaN, dont le champ de claquage est élevé.
Réponse : B. 1 W
Les pertes par conduction valent P = I²R, soit (10 A)² × 0,01 Ω = 1 W. Proportionnelles au carré du courant, elles quadruplent si le courant double dans le même composant ; à fort courant, une faible différence de résistance à l'état passant entraîne un grand écart de pertes. De plus, la résistance à l'état passant augmente avec la température (environ 1,5 fois à 100 ℃), si bien que l'échauffement réel dépasse le calcul fait avec la valeur à température ambiante. La mise en parallèle pour réduire la résistance est aussi courante.
En théorie, la résistance à l'état passant d'un composant unipolaire en Si est proportionnelle à la tenue en tension à la puissance 2,5 environ : doubler la tenue en tension multiplie la résistance par environ 5,7 (limite du silicium).
Quelle relation entre la tenue en tension et la résistance …Proportionnelles au carré du courant, elles quadruplent si le courant double dans le même composant ; à fort courant, une faible différence de résistance à l'état passant entraîne un grand écart de pertes.
Quelles sont les pertes par conduction d'un MOSFET de puiss…La RDS(on) d'un MOSFET de puissance en silicium augmente avec la température, car la mobilité des porteurs diminue ; à 125 °C, elle vaut généralement environ 1,5 à 2 fois sa valeur à 25 °C.
Une fiche technique indique RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VG…Un faible dopage et une couche épaisse augmentent toutefois la résistance à l'état passant, d'où un compromis avec la tenue en tension.
Comment évolue en général la tension de claquage d'une jonc…Par rapport à la chute due à la résistance à l'état passant d'un MOSFET, le MOSFET est souvent avantageux à basse tension et fort courant.
Quel est l'ordre de grandeur de la tension collecteur-émett…MOSFET de puissance SiC (carbure de silicium) IGBT GaN (nitrure de gallium) Mobilité Courant de traînée (tail current) Zone de déplétion (zone de charge d'espace) HEMT (transistor à haute mobilité électronique) Gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) MOSFET à superjonction