Transistor bipolaire à grille isolée. Commandé par une grille MOS, il obtient grâce à la modulation de conductivité une faible tension à l'état passant, même à haute tension de blocage.
Nom japonais: IGBT
« IGBT » apparaît dans 17 questions d'entraînement réparties sur 7 thèmes, dont Semi-conducteurs de puissance, Plaquettes de silicium, Implantation ionique.
Domaine: Semi-conducteurs de puissance
Réponse : B. Un composant commandé par une grille MOS, qui obtient une faible tension à l'état passant grâce à la modulation de conductivité du fonctionnement bipolaire
L'IGBT associe l'étage d'entrée d'un MOSFET et l'étage de sortie d'un transistor bipolaire ; sa structure ajoute une couche p+ côté drain. Commandé en tension, il simplifie le circuit de commande ; à l'état passant, les trous injectés depuis la couche p+ abaissent fortement la résistance de la couche de dérive (modulation de conductivité), ce qui permet une faible tension à l'état passant même pour des tenues en tension élevées de 600 V à 6,5 kV. C'est le composant principal des VE, du ferroviaire et des onduleurs industriels, mais son courant de traînée le rend peu adapté aux hautes fréquences.
Réponse : B. Courant de traînée
L'IGBT abaisse sa résistance à l'état passant en injectant des porteurs minoritaires (trous) dans la couche de dérive ; au blocage, le courant continue donc de circuler jusqu'à ce qu'ils disparaissent par recombinaison ou extraction. Ce courant de traînée, circulant alors que la tension est déjà élevée, est une cause majeure des pertes au blocage et limite la fréquence de commutation des IGBT à quelques dizaines de kHz au plus. On le raccourcit par contrôle de durée de vie ou structure field stop. Les MOSFET n'en ont pas.
L'IGBT associe l'étage d'entrée d'un MOSFET et l'étage de sortie d'un transistor bipolaire ; sa structure ajoute une couche p+ côté drain.
Quelle description de l'IGBT est correcte ?L'IGBT abaisse sa résistance à l'état passant en injectant des porteurs minoritaires (trous) dans la couche de dérive ; au blocage, le courant continue donc de circuler jusqu'à ce qu'ils disparaissent par recombinaison ou extraction.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, au blocage d'…L'IGBT, qui garde une faible tension à l'état passant même en haute tension grâce à la modulation de conductivité, convient aux forts courants à partir de 600 V (VE, onduleurs industriels, ferroviaire), mais son courant de traînée le rend plus lent.
Quelle répartition générale des usages entre MOSFET et IGBT…À l'inverse, pour les diodes rapides et les IGBT, on raccourcit volontairement la durée de vie par diffusion de platine ou irradiation par électrons ou protons, afin d'éliminer rapidement les porteurs minoritaires stockés.
Quel est un facteur typique qui raccourcit la durée de vie …C'est le mécanisme clé des IGBT et des diodes haute tension, mais la nécessité d'évacuer les porteurs stockés ralentit la commutation.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, sous courant …SiC (carbure de silicium) Résistance à l'état passant (RDS(on)) Modulation de conductivité Courant de traînée (tail current) MOSFET de puissance Via Attention Bande interdite (bandgap) Recombinaison SRH (Shockley-Read-Hall) Tenue au court-circuit