Quel est le principal avantage de la structure à grille en tranchée d'un MOSFET de puissance, où la grille est enterrée dans une tranchée creusée dans le silicium ?

Réponse : C. Les cellules peuvent être disposées à forte densité, augmentant la largeur de canal et réduisant la résistance à l'état passant

Dans la structure à grille en tranchée, le canal se forme verticalement sur les flancs de la tranchée : on peut disposer plus de cellules par unité de surface qu'avec la structure planaire, et la largeur totale de canal augmente. De plus, la résistance qui apparaît entre cellules voisines dans la structure planaire (résistance JFET) disparaît, ce qui réduit la résistance à l'état passant. Cette structure domine pour les MOSFET Si basse tension, les IGBT et les MOSFET SiC récents, mais le champ se concentrant aux angles du fond de tranchée, une structure de protection y est essentielle.