Lire une fiche technique
Une fiche technique indique RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V) pour un MOSFET de puissance en silicium. Quelle approche est correcte pour une utilisation vers Tj = 125 °C ?
- ALa résistance d'un semi-conducteur diminuant quand la température augmente, une estimation avec la valeur à 25 °C va dans le sens de la sécurité
- BRDS(on) augmentant avec la température, on corrige la valeur pour la haute température à l'aide de la courbe de température pour estimer les pertes
- CRDS(on) dépendant très peu de la température, on peut utiliser telle quelle la valeur du tableau pour calculer les pertes par conduction
Afficher la réponse et l'explication
Réponse : B. RDS(on) augmentant avec la température, on corrige la valeur pour la haute température à l'aide de la courbe de température pour estimer les pertes
La RDS(on) d'un MOSFET de puissance en silicium augmente avec la température, car la mobilité des porteurs diminue ; à 125 °C, elle vaut généralement environ 1,5 à 2 fois sa valeur à 25 °C. La fiche technique présente une courbe de RDS(on) normalisée en fonction de la température, la valeur à 25 °C étant prise égale à 1. Calculer les pertes par conduction I²R avec la valeur à 25 °C sous-estime les pertes et fait négliger le cercle vicieux où l'échauffement augmente encore la résistance. Ce coefficient de température positif a aussi l'avantage de tendre à équilibrer le courant entre composants montés en parallèle.