Semi-conducteurs de puissance
Quel est le canal dans lequel circule le courant d'un HEMT GaN ?
- AUne couche d'inversion de type p formée sous la grille
- BUne couche épaisse de type n fortement dopée
- CLe gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) créé par polarisation à l'interface AlGaN/GaN
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Réponse : C. Le gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) créé par polarisation à l'interface AlGaN/GaN
Dans un HEMT GaN, la différence de polarisations spontanée et piézoélectrique crée à l'interface AlGaN/GaN un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) de densité très élevée, environ 10¹³ cm⁻². Les électrons étant produits sans dopage, la diffusion est faible et la mobilité élevée, environ 2000 cm²/V·s, ce qui concilie faible résistance à l'état passant et commutation rapide. Le 2DEG existant même avec une tension de grille de 0 V, la structure de base est de type normalement passant.
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