Quelle répartition générale des usages entre MOSFET et IGBT en silicium est correcte ?

Réponse : A. Le MOSFET convient à la commutation rapide à tension relativement basse, l'IGBT aux tensions élevées de plusieurs centaines de volts et aux forts courants

Le MOSFET en silicium, fonctionnant avec les seuls porteurs majoritaires, est rapide, mais sa résistance à l'état passant croît brusquement avec la tenue en tension : on l'utilise jusqu'à quelques centaines de volts environ, en particulier dans les alimentations basse tension. L'IGBT, qui garde une faible tension à l'état passant même en haute tension grâce à la modulation de conductivité, convient aux forts courants à partir de 600 V (VE, onduleurs industriels, ferroviaire), mais son courant de traînée le rend plus lent. Aujourd'hui, le MOSFET SiC remplace progressivement les deux dans cette plage de tenue en tension moyenne à élevée.