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Plaquettes de silicium

Quelle est l'utilisation principale des wafers de silicium n⁺ de faible résistivité fortement dopés à l'arsenic ou à l'antimoine ?

  1. ALa couche photosensible elle-même des capteurs d'image
  2. BLa couche antireflet des cellules solaires
  3. CSubstrat pour la croissance de couches épitaxiées faiblement dopées, ou substrat côté drain des composants de puissance verticaux
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Réponse : C. Substrat pour la croissance de couches épitaxiées faiblement dopées, ou substrat côté drain des composants de puissance verticaux

Les wafers n⁺ fortement dopés et de faible résistivité (environ 0.001 à 0.01 Ω·cm) servent de substrat pour les wafers épitaxiés sur lesquels une couche épitaxiée faiblement dopée est déposée. Dans les MOSFET de puissance et les diodes verticaux, le courant traverse le substrat verticalement ; une faible résistance du substrat réduit donc la résistance à l'état passant. L'arsenic, l'antimoine ou le phosphore sont choisis selon leurs propriétés de ségrégation et d'évaporation, et la limitation de la diffusion vers la couche épitaxiée (autodopage) est un enjeu.

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