Quelle relation entre la tenue en tension et la résistance à l'état passant d'un MOSFET de puissance en silicium est correcte ?

Réponse : C. Augmenter la tenue en tension tend à augmenter la résistance à l'état passant

Pour augmenter la tenue en tension, la couche de dérive qui supporte la tension doit être plus épaisse et moins dopée, ce qui accroît sa résistance. En théorie, la résistance à l'état passant d'un composant unipolaire en Si est proportionnelle à la tenue en tension à la puissance 2,5 environ : doubler la tenue en tension multiplie la résistance par environ 5,7 (limite du silicium). Pour dépasser ce compromis, on utilise la structure à superjonction ou le SiC et le GaN, dont le champ de claquage est élevé.