Courant qui, à l'ouverture d'un IGBT, ne s'annule pas immédiatement à cause des porteurs minoritaires stockés et continue de circuler en traînée. Source de pertes à l'ouverture.
Nom japonais: テール電流
« Courant de traînée (tail current) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Semi-conducteurs de puissance.
Domaine: Semi-conducteurs de puissance
Réponse : B. Un composant commandé par une grille MOS, qui obtient une faible tension à l'état passant grâce à la modulation de conductivité du fonctionnement bipolaire
L'IGBT associe l'étage d'entrée d'un MOSFET et l'étage de sortie d'un transistor bipolaire ; sa structure ajoute une couche p+ côté drain. Commandé en tension, il simplifie le circuit de commande ; à l'état passant, les trous injectés depuis la couche p+ abaissent fortement la résistance de la couche de dérive (modulation de conductivité), ce qui permet une faible tension à l'état passant même pour des tenues en tension élevées de 600 V à 6,5 kV. C'est le composant principal des VE, du ferroviaire et des onduleurs industriels, mais son courant de traînée le rend peu adapté aux hautes fréquences.
Réponse : B. Courant de traînée
L'IGBT abaisse sa résistance à l'état passant en injectant des porteurs minoritaires (trous) dans la couche de dérive ; au blocage, le courant continue donc de circuler jusqu'à ce qu'ils disparaissent par recombinaison ou extraction. Ce courant de traînée, circulant alors que la tension est déjà élevée, est une cause majeure des pertes au blocage et limite la fréquence de commutation des IGBT à quelques dizaines de kHz au plus. On le raccourcit par contrôle de durée de vie ou structure field stop. Les MOSFET n'en ont pas.
C'est le composant principal des VE, du ferroviaire et des onduleurs industriels, mais son courant de traînée le rend peu adapté aux hautes fréquences.
Quelle description de l'IGBT est correcte ?Ce courant de traînée, circulant alors que la tension est déjà élevée, est une cause majeure des pertes au blocage et limite la fréquence de commutation des IGBT à quelques dizaines de kHz au plus.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, au blocage d'…L'IGBT, qui garde une faible tension à l'état passant même en haute tension grâce à la modulation de conductivité, convient aux forts courants à partir de 600 V (VE, onduleurs industriels, ferroviaire), mais son courant de traînée le rend plus lent.
Quelle répartition générale des usages entre MOSFET et IGBT…IGBT Modulation de conductivité Résistance à l'état passant (RDS(on)) SiC (carbure de silicium) Circuit d'amortissement (snubber) Commutation douce (soft switching) Convertisseur DC-DC Diode de structure (body diode) MOSFET à superjonction MOSFET de puissance