Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quels facteurs limitant les performances gagnent en importance dans les transistors très miniaturisés ?

  1. ALes résistances parasites des sources/drains et contacts, et les capacités parasites autour de la grille
  2. BLe diamètre de la plaquette
  3. CLa couleur du boîtier
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Les résistances parasites des sources/drains et contacts, et les capacités parasites autour de la grille

Lorsque les transistors rétrécissent, la part des résistances des sources/drains et des contacts augmente par rapport à celle du canal, pouvant représenter près de la moitié de la résistance à l'état passant dans les nœuds avancés. De plus, l'espacement entre grille et contact se réduit à une quinzaine de nm, ce qui accroît les capacités parasites. L'amélioration des parties extrinsèques est donc devenue centrale : nouveaux matériaux de contact, espaceurs à lame d'air ou à faible permittivité, alimentation par la face arrière, etc.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Quelle est la caractéristique des matériaux comme le disulfure de molybdène (MoS2), étudiés comme matériaux de canal des futurs transistors ultra-miniaturisés ?
  2. Quel est l'objectif principal de la surélévation par épitaxie du cristal au-dessus des ailettes dans les sources/drains des FinFET ?
  3. Quelle est la méthode de base pour réduire la résistance de contact métal-semi-conducteur ?
  4. Quel indicateur est réputé refléter la réalité de la miniaturisation logique mieux que le nom de génération du procédé (nom de nœud) ?
  5. Quels composants sont étudiés pour franchir la barrière des 60 mV/déc de pente sous le seuil ?

Comparatifs sur ce thème