Comment évolue en général la tension de claquage d'une jonction PN lorsqu'on abaisse le dopage d'un côté ?

Réponse : C. Elle augmente

À faible dopage, la zone de déplétion s'étend davantage pour une même tension et le champ dans la jonction s'affaiblit. Il faut donc une tension plus élevée pour atteindre le champ critique (environ 3×10⁵ V/cm dans le silicium), et la tension de claquage augmente. Elle est à peu près proportionnelle à la concentration à la puissance −3/4 ; pour la classe 600 V, la couche de dérive est dopée à environ 10¹⁴ cm⁻³. Un faible dopage et une couche épaisse augmentent toutefois la résistance à l'état passant, d'où un compromis avec la tenue en tension.