Was ist LPCVD (Niederdruck-CVD)?

Thermische CVD bei vermindertem Druck. Schnellere Gasdiffusion ergibt gute Schichtdickengleichmäßigkeit und Kantenbedeckung, und in einem Vertikalofen lassen sich viele Wafer gleichzeitig bearbeiten. Sie dient für Polysilizium- und Nitridschichten.

Japanische Bezeichnung: LPCVD(減圧CVD)

Fachgebiet: Abscheidung (CVD und PVD)

Vergleiche mit diesem Begriff

CVD vs. PVD: Dünnschichtabscheidung im VergleichCVD und PVD im Tabellenvergleich: Prinzip, typische Materialien, Kantenbedeckung, Temperatur, Reinheit, Umgeb…

Verwandte Begriffe

ALD (Atomlagenabscheidung) CVD (chemische Gasphasenabscheidung) Elektrostatischer Chuck Flächenselektive Abscheidung (Area-Selective Deposition) Galvanische Abscheidung (Electroplating) HDP-CVD (Hochdichteplasma-CVD) Kantenbedeckung (Step Coverage) Magnetron-Sputtern PECVD (plasmaunterstützte CVD) Reaktives Sputtern

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