Traitement thermique qui chauffe uniquement la surface de la plaquette pendant un temps extrêmement court à l'aide d'un laser. On obtient une forte activation presque sans diffusion.
Nom japonais: レーザーアニール
« Recuit laser » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Implantation ionique, Oxydation et diffusion.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : C. Il ne chauffe que la région proche de la surface du wafer pendant une durée extrêmement courte, ce qui donne une activation élevée tout en limitant la diffusion
Le recuit laser porte uniquement la région proche de la surface à plus de 1000 °C (voire près du point de fusion selon les conditions) pendant une durée extrêmement courte, de l'ordre de la microseconde à la nanoseconde. Une activation élevée est obtenue avant que les impuretés aient le temps de diffuser, ce qui permet de réaliser des jonctions peu profondes et peu résistives. La chaleur n'atteignant pas les profondeurs, il sert aussi aux étapes où l'on ne veut pas endommager les couches inférieures, comme la formation de la couche arrière des IGBT ou la fabrication de transistors dans une couche supérieure empilée.
Le recuit laser porte uniquement la région proche de la surface à plus de 1000 °C (voire près du point de fusion selon les conditions) pendant une durée extrêmement courte, de l'ordre de la microseconde à la nanoseconde.
Quelle caractéristique du recuit laser est correcte ?Le recuit par lampe flash et le recuit laser, qui ramènent la durée de chauffe à la milliseconde ou moins, servent aussi à former les jonctions peu profondes avancées.
Comment s’appelle le traitement thermique qui chauffe les p…IGBT RTP (recuit thermique rapide) Recuit Cage de Faraday Caisson rétrograde (retrograde well) Canalisation (channeling) Diffusion accélérée transitoire (TED) Dopage plasma Dose Effet d'ombrage (shadowing)