Quelle caractéristique du recuit laser est correcte ?

Réponse : C. Il ne chauffe que la région proche de la surface du wafer pendant une durée extrêmement courte, ce qui donne une activation élevée tout en limitant la diffusion

Le recuit laser porte uniquement la région proche de la surface à plus de 1000 °C (voire près du point de fusion selon les conditions) pendant une durée extrêmement courte, de l'ordre de la microseconde à la nanoseconde. Une activation élevée est obtenue avant que les impuretés aient le temps de diffuser, ce qui permet de réaliser des jonctions peu profondes et peu résistives. La chaleur n'atteignant pas les profondeurs, il sert aussi aux étapes où l'on ne veut pas endommager les couches inférieures, comme la formation de la couche arrière des IGBT ou la fabrication de transistors dans une couche supérieure empilée.